Наноелектроніка

Исследование динамических свойств новейших полупроводниковых наноматериалов и нанокомпонентов

Работа связана с исследованием наноматериалов и наноструктур для создания сверхбыстродействующих и сверхвысокочастотных компонентов микро- и наноэлектроники. Использование широкозонних материалов нитридной группы открывает новые возможности по созданию на их основе полупроводниковых структур с низкоразмерными элементами, которые совмещают возможности получения как более быстродействующих, так и более мощных электронных приборов в сравнении с существующими приборами на соединениях А3В5.

Разработка теоретических основ, принципов построения и синтеза многокомпонентных микропреобразователей на основе использования новых физических ефектов и нано-микро-технологий.

Основной целью данной работы является исследование и разработка научно-технических основ и методов проектирования многокомпонентных микропреобразователей с использованием новых физических эффектов и микро и нанотехнологий. Данные микропреобразователи являются альтернативными безплатформенным инерциальным системам ориентации и навигации. Они имеют значительные преимущества: малые размеры, стоимость, простые в использовании и для их изготовления могут использоваться полупроводниковые технологии. Объектом исследования являются новые многокомпонентные микропреобразователи.

Высокоизбирательные резонансно-туннельные кристаллоподобные устройства обработки сигналов

Наноэлектронные устройства обработки сигналов на основе кристаллоподобных структур являются новейшей элементной базой информационных и телекоммуникационных систем. Предложены резонансно-туннельные кристаллоподобные структуры и устройства на их основе с предельно высокой спектральной избирательностью. Разработаны высокоэффективные микрополосковые устройства обработки сигналов СВЧ диапазона. Для повышения эффективности использованы кристаллоподобные структуры в режимах резонансное туннелирование - обычное туннелирование.

Мономолекулярные нанопроводники и нанополупроводники на основе внутренне-допированных диамондоидов

С помощью компьютерного моделирования было оптимизировано геометрию, рассчитано зависимость электронных свойств диамондоидив от их размера; наличия как одного, так и двух различных заместителей в молекуле (внешнее допирование); от замены атомов углерода в определенных положениях диамондоида (внутреннее допирование) одним и двумя гетероатомами.