Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур

1. Номер державної реєстрації НДР 0109U000658,
2. Науковий керівник д. т.н., професор Тимофєєв В.І.
3. Суть розробки, основні результати.

Використовуючи аналітичні вирази для часів релаксації імпульсу і енергії при різних механізмах розсіяння, зроблені оцінки динамічних властивостей тринітридних сполук (InN, GaN, AlN) у сильних електричних полях. Розраховані поле-температурні залежності, функції заселеності долин і поле- швидкісні характеристики в сильному полі для нітридів з різними модифікаціями кристалічної решітки (кубічної та гексагональної).

Результати розрахунків співставлені з наявними експериментальними даними і розрахунками інших авторів. Розроблено програми моделювання електрофізичних та схемних параметрів модульовано легованих гетеротранзисторів з квантовими точками, вбудованими в канал з двовимірним електронним газом. Показано, що такі транзистори мають вищі концентрації двовимірних електронів та їх рухливість, що обумовлено як електронами гетеропереходу, так і електронами, інжектованими з квантових точок. Розроблено модель польового транзистора на основі вуглецевих нанотрубок. Створено програми моделювання двобар’єрного резонансно- тунельного діоду з високолегованими нанометровими шарами напівпровідникових сполук, засновані на узгодженому розв’язку рівнянь Шредінгера та Пуассона для огинаючої хвильової функції.