Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів

1. Номер державної реєстрації теми - 0111U000774, НТУУ «КПІ» - 2428-п.
2. Науковий керівник - д.т.н., проф. Тимофєєв В.І.
3. Суть розробки, основні результати.

Проведено дослідження наноматеріалів і прогнозування можливостей тринітридів щодо їх використання для створення надшвидкодіючих і надвисокочастотних компонентів мікро- і наноелектроніки. Виконананий аналіз динамічних та високочастотних властивостей тринітридів показав можливість їх використання для створення приладів на частоти до сотень гігагерц та формування пікосекундних імпульсів.

Розроблено математичні моделі для аналізу динамічних властивостей резонансно-тунельних діодів, створено програмний за стосунок, придатний для аналізу і візуалізації характеристик та проектування резонансно-тунельних діодів та надграткових наноструктур.

Проведено моделювання електричних параметрів структур низької розмірності, в тому числі двоперехідних польових гетеротранзисторів та транзисторів з квантовими точками.

ДолученняРозмір
PDF icon 2012_2428-p.pdf308.49 КБ