Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів

Проведено дослідження наноматеріалів і прогнозування можливостей тринітридів щодо їх використання для створення надшвидкодіючих і надвисокочастотних компонентів мікро- і наноелектроніки. Виконананий аналіз динамічних та високочастотних властивостей тринітридів показав можливість їх використання для створення приладів на частоти до сотень гігагерц та формування пікосекундних імпульсів.

Розроблено математичні моделі для аналізу динамічних властивостей резонансно-тунельних діодів, створено програмний за стосунок, придатний для аналізу і візуалізації характеристик та проектування резонансно-тунельних діодів та надграткових наноструктур.

Проведено моделювання електричних параметрів структур низької розмірності, в тому числі двоперехідних польових гетеротранзисторів та транзисторів з квантовими точками.