Розробка і дослідження частотно-селективних структур міліметрового діапазону на основі тонких багатомодових діелектричних резонаторів.

1. Номер державної реєстрації 0115U000358
2. Науковий керівник - к.т.н., доцент Татарчук Д.Д.
3. Суть розробки, основні результати

Отримано співвідношення для розрахунку резонансних частот і добротності частотноселективних пристроїв на основі тонких діелектричних резонаторів. Похибка розрахунку не перевищує 1…2% при розрахунку частот і 5…7% при розрахунку добротності резонансної системи, що дозволяє автоматизувати розробку таких пристроїв.
Показано, що на основі тонких діелектричних резонаторів можуть бути створені фільтри НВЧ та керовані фазообертачі НВЧ з характеристиками прийнятними для практичного застосування.
Доведено, що напівпровідникові структури, такі як p-i-n діоди, виявляють НВЧ діелектричні властивості та можуть бути використані в міліметровому діапазоні довжин хвиль як резонансні елементи.
Основною перевагою використання напівпровідникових резонансних структур є можливість реалізації електронного керування резонансною частотою, що значно збільшує їх функціональні можливості.
Запропоновано конструкцію керованої надвисокочастотної системи на основі тонкого діелектричного резонатора, яка містить резонансний елемент, розташований у відрізку хвилеводу, та керувальний елемент і відрізняються від відомих аналогів тим, що як резонансний елемент використано тонкий діелектричний резонатор, а як керувальний елемент – кроковий двигун, керований мікроконтролером. Заявлене технічне рішення підвищить точність керування, зменшить керувальну напругу та усуне проблему гістерезису, властиву п’єзокерованим системам.
Запропоновано конструкції фільтру та фазообертача міліметрового діапазону довжин хвиль з електронним керуванням на основі напівпровідникової p-i-n-структури, яка є резонансним елементом. Електрофізичні властивості p-i-n-структури залежать від прямого струму, що пропускається крізь неї. Запропонована конструкція дозволяє вирішити проблему зменшення керувальних напруг і підвищення швидкості перестроювання резонансної частоти за рахунок відсутності інерційних рухомих частин.
Означені пристрої добре узгоджуються з мікросмужковими лініями і можуть бути виготовлені за добре відпрацьованою планарною технологією, що дозволить в майбутньому створювати в єдиному технологічному циклі на одній підкладці схеми, що поєднують активні компоненти, резонансні пристрої та лінії передачі.

ДолученняРозмір
PDF icon 2016_2857.pdf960.93 КБ