Дослідження наногетероструктур на потрійних сполуках AIIIBV для моделювання їх електронних властивостей та ефектів

1. Номер державної реєстрації - 0115U000400
2. Науковий керівник - д.т.н., проф. В.І.Тимофєєв
3. Суть розробки, основні результати.

Предметом дослідження є електричні й оптоелектронні характеристики потрійних
сполук AIIIBV та структур на їх основі. Особлива увага приділяється дослідженню динамічних характеристик потрійних сполук у сильних полях, ефекти розігрівання електронного газу та інші ефекти, що властиві таким матеріалам при досягненні нанорозмірів, а також явища на границях низькорозмірних структур з пасивними областями та контактами.
Створено фундаментальні фізико-математичні засади для моделювання
наногетероструктур, що використовують двокомпонентні тверді розчини бінарних сполук AIIIBV. Використано удосконалений метод релаксаційних рівнянь, у якому замість рівняння балансу енергії використовується рівняння для електронної температури.Розраховано часи релаксації імпульсу та енергії електронів для різних механізмів розсіювання. Вперше отримано аналітичні співвідношення для розрахунку міждолинних часів релаксації за довільних значень міждолинної відстані порівняно з енергією міждолинних фононів. Такий аналіз є необхідним для потрійних сполук, у яких положення долин суттєво залежить від стехіометричного складу. Для сполук з широкою фононною забороненою зоною розсіювання на акустичних та оптичних фононах розглянуто як окремі види міждолинного розсіювання. При моделюванні враховані часи релаксації для розсіювання на сплавному деформаційному потенціалі.
На основі системи релаксаційних рівнянь виведено систему рівнянь для
моделювання субмікронних гетероструктур з квантовими ямами. Розроблено методики моделювання наногетероструктур з урахуванням квантових ефектів та специфічних для потрійних сполук механізмів розсіяння.

ДолученняРозмір
PDF icon 2017_2871.pdf272.5 КБ