Самофалов К.Г.

Створення засобів проектування та технології виготовлення інтегральних мікросхем сегнетоелектричних запам’ятовуючих пристроїв

фрагмент топології макетного зразка чипа пам’яті

Розроблено нову дослідну технологію осадження субмікронних (20-100 нм) тонких сегнетоелектричних плівок (ТСП) для енергонезалежних акусто-сегнетоелектричних запам’ятовуючих елементів (ЗЕ). Удосконалено обладнання для осадження і травлення ТСП на кремнієвих підкладках з КМОН структурами, а також конструкцію катодного вузла з кільцевим та дисковим фрагментами мішені, що забезпечує рівномірність товщини та складу ТСП при їх осадженні методом іонноплазмового розпилення в реакторі магнетронного типу з замкнутим дрейфом електронів.