Мономолекулярные нанопроводники и нанополупроводники на основе внутренне-допированных диамондоидов
С помощью компьютерного моделирования было оптимизировано геометрию, рассчитано зависимость электронных свойств диамондоидив от их размера; наличия как одного, так и двух различных заместителей в молекуле (внешнее допирование); от замены атомов углерода в определенных положениях диамондоида (внутреннее допирование) одним и двумя гетероатомами.