Теоретические и экспериментальные основы создания нового класса сенсоров терагерцового диапазона

Разработан алгоритм компьютерного эксперимента методом молекулярной динамики. Рекомендован метод исследования наносистем на основе анализа результатов молекулярно - динамического расчета основных свойств наноматериалов. Рекомендован метод определения пространственного распределения поляризации в нанослоях активных диэлектриков. Создана методика описания процессов зарождения и роста искусственных нанодоменов. Для анализа размерных эффектов построена микроскопическая модель внутрикластерной атомной динамики чувствительного слоя сенсора. Получена зависимость внутренней энергии кластера при изменении состояния вещества. Полученны динамические характеристики кластеров с переменным числом атомов. Разработана термодинамическая модель кластера материала сенсора. Проведенные вычисления образования нанодоменов, предельной плотности их формирования. Это позволяет выбрать оптимальные условия формирования массивов стабильных нанодоменов и определить условия переключения их отдельных элементов. Проведенны измерения наноструктур пироэлектрических материалов, получено трехмерное изображение их поверхности. Для измерения наноструктур пироэлектрических материалов рекомендована методика с применением методов атомно-силовой микроскопии. Разработаны специальные методы обработки изображений для получения кристаллографической информации о поверхности нанослоев. Разработана методика обработки изображений наночастиц с электронного микроскопа, рекомендована методика реконструкции их структуры. Рекомендована методика описания полярно-активных свойств сегнетоэлектриков - полупроводников с заряженными дефектами. Разработана технологическая методика получения нанокомпозитных слоев на основе активных диэлектриков, которые выполняют функцию чувствительных элементов и определяют основные параметры сенсоров терагерцового диапазона.