Разработка средств проектирования и технологии изготовления энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств повышенного быстродействия компьютерных систем критического применения.

Обосновано применение щелевых высокочастотных (ВЧ) катодных источников с косвенным охлаждения мишени для послойного осаждения компонентов на подложку из их перемещением над поверхностью мишени. Доработаны конструкции источников для осаждения сегнетоэлектрических пленки с оксидов циркония-гафния и цирконата- титаната свинца, ориентированных на применение мишеней с размерами 68х30х5мм из порошков оксидов гафния, циркония, титана, свинца. Разработано альтернативную технологию осаждения сегнетоэлектрических пленок с высоким уровнем стехиометрии компонентов, основанная на использовании созданного ВЧ катодного распыления одно и многокомпонентных мишеней для осаждения пленки на кремниевые подложки диаметром 40 мм. Основой технологии элементов, накопителей применение высокопроводящего устойчивых барьерных слоев оксидов из хрома, никеля и кобальта между поверхностями пленки и электродами. Получено качественную пленку оксида цирконата-титаната свинца Pb (Zr, Ti) O3 в 30 нм. Весьма важным в технологии является применение акустической стимуляции. Разработана методика измерений характеристик импульсного переключения поляризации сверхтонкой сегнетоэлектрической пленки, исследована электрическая поляризацию элементов на толстой (100 мкм) и тонкой (30-100 нм) пленке. Разработаны и доработаны математические модели поляризации, определяющих остаточную поляризацию в конденсаторе от времени действия и амплитуды импульсных сигналов переключения, и на их основе разработаны поведенческие модели, которые определяют изменение поляризации со временем при произвольной форме сигнала на конденсаторе. Разработаны модели элементов и накопителей системы автоматизированного проектирования устройств в среде PSPICE. Выполнено схемотехническое, технологическое и топологическое проектирование экспериментальных образцов накопителей с разрушающим и неразрушающим считыванием, изготовлено и исследовано комплекты фотошаблонов и накопители со структурой 16х16 и 32х16 (чисел- х-разрядов).