Разработка средств проектирования и технологии изготовления энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств повышенного быстродействия компьютерных систем критического применения.
Обосновано применение щелевых высокочастотных (ВЧ) катодных источников с косвенным охлаждения мишени для послойного осаждения компонентов на подложку из их перемещением над поверхностью мишени. Доработаны конструкции источников для осаждения сегнетоэлектрических пленки с оксидов циркония-гафния и цирконата- титаната свинца, ориентированных на применение мишеней с размерами 68х30х5мм из порошков оксидов гафния, циркония, титана, свинца.