Розробка засобів проєктування та технології виготовлення енергонезалежних сегнетоелектричних запам’ятовуючих пристроїв підвищеної швидкодії комп’ютерних систем критичного застосування.
Обґрунтовано застосування щілинних високочастотних (ВЧ) катодних джерел з непрямим охолодження мішені для пошарового осадження компонентів на підкладку з їх переміщенням над поверхнею мішені. Допрацьовано конструкції джерел для осадження сегнетоелектричної плівки із оксидів цирконію-гафнію та цирконату- титанату свинцю, орієнтованих на застосування мішеней з розмірами 68х30х5мм із порошків оксидів гафнію, цирконію, титану, свинцю.