Создание средств проектирования и технологии изготовления интегральных микросхем сегнетоэлектрических запоминающих устройств
Разработана новая опытная технология осаждения субмикронных (20-100 нм) тонких сегнетоэлектрических пленок (ТСП) для энергонезависимых акусто-сегнетоэлектрических запоминающих элементов. Усовершенствовано оборудование для осаждения и травления ТСП на кремниевых подложках с КМОП структурами, а также конструкция катодного узла с кольцевым и дисковым фрагментами мишени, что обеспечивает равномерность толщины и состава ТСП при их осаждении методом ионноплазменного распыления в реакторе магнетронного типа с замкнутым дрейфом электронов.