Наноприлад

Работа связана с исследованием наноматериалов и наноструктур для создания сверхбыстродействующих и сверхвысокочастотных компонентов микро- и наноэлектроники. Использование широкозонних материалов нитридной группы открывает новые возможности по созданию на их основе полупроводниковых структур с низкоразмерными элементами, которые совмещают возможности получения как более быстродействующих, так и более мощных электронных приборов в сравнении с существующими приборами на соединениях А3В5.

Наноэлектронные устройства обработки сигналов на основе кристаллоподобных структур являются новейшей элементной базой информационных и телекоммуникационных систем. Предложены резонансно-туннельные кристаллоподобные структуры и устройства на их основе с предельно высокой спектральной избирательностью. Разработаны высокоэффективные микрополосковые устройства обработки сигналов СВЧ диапазона. Для повышения эффективности использованы кристаллоподобные структуры в режимах резонансное туннелирование - обычное туннелирование.

Разработаны математические модели погрешности позиционирования в рабочем пространстве технологического оборудования. Определено, что пространственная ошибка позиционирования режущего инструмента и детали зависит от места расположения в системе координат. Как следствие, это существенно влияет на технологические параметры процесса обработки металлов, а также на точность изготовления деталей прецизионных приборов. Обоснованы математические модели и целесообразность их использования при построении експресс-систем определения пространственной погрешности.