Фотоелектричні перетворювачі

Физико-технические основы конструктивно-технологических решений солнечных элементов на нанокристаллических кремниевых пленках с использованием редкоземельных элементов и гетероструктурах А3В5

Фотографія однієї з п’яти сонячних батарей супутника “PolyITAN-1” з ФЕП на монокристалічному кремнії

Комплексная оптимизация технологии изготовления радиационно-стойких солнечных элементов на гетероструктурах А3В5, на монокристаллическом кремнии и на нанокристаллических кремниевых пленках, легированных редкоземельными элементами, сформированных методом синтеза кремниевых нанокристаллических тонкопленочных слоев. Разработаны и практически реализованы технологические операции изготовления высокоэффективных радиационно-стойких кремниевых нанокристаллических тонкопленочных и гетероструктурных А3В5 солнечных элементов.

Разработка технологии получения и исследование особенностей применения пористого и нанопористого кремния для создания высокоэффективных наноструктурных фотоэлектрических преобразователей

Технологічне обладнання

Разработан и реализован технологию формирования нанопористого кремния. Разработаны базовые принципы и критерии конструктивно-технологических параметров фотоэлектрических преобразователей комбинированного типа с инверсионным каналом (величина встроенного положительного заряда в диэлектрике, плотности поверхностных состояний на границе диэлектрик-полупроводник, глубины электронно-дырочного перехода, уровня легирования областей базы и емиттера).

Разработка технологии получения нанокристаллических пленок кремния на основе аморфного сплава Si-Sn-C и методов контроля p-n-перехода и структуры

Electromask Series 6000

Разработана и реализована технологическая схема низкотемпературного синтеза нанокристаллических пленок кремния. Разработан метод термического вакуумного напыления в потоке высокоэнергетических электронов. Создана теоретическая модель структуры тонкопленочного фотоэлектрического преобразователя на основе нанокристаллического кремния (nc-Si). Модель учитывает трехмерное распределение потенциальных барьеров.