Фотоелектричні перетворювачі

Фізико-технічні основи конструктивно-технологічних рішень сонячних елементів на нанокристалічних кремнієвих плівках з використанням рідкісноземельних елементів та гетероструктурах А3В5

Комплексна оптимізація технології виготовлення радіаційно-стійких сонячних елементів на гетероструктурах А3В5, на монокристалічному кремнії та на нанокристалічних кремнієвих плівках, легованих рідкісноземельними елементами, сформованих методом синтезу кремнієвих нанокристалічних тонкоплівкових шарів. Розроблені і практично реалізовані технологічні операції виготовлення високоефективних радіаційно-стійких кремнієвих нанокристалічних тонкоплівкових та гетероструктурних А3В5 сонячних елементів.

Розроблення технології отримання та вивчення особливостей застосування пористого і нанопористого кремнію для створення високоефективних наноструктурних фотоелектричних перетворювачів

Розроблено і реалізовано технологію формування нанопористого кремнія. Розроблено базові принципи і критерії конструктивно-технологічних параметрів фотоелектричних перетворювачів комбінованого типу з інверсійним каналом (величина вбудованого позитивного заряду в діелектрику, щільності поверхневих станів на кордоні діелектрик–напівпровідник, глибини електронно-діркового переходу, рівня легування областей бази і еміттера).

Розроблення технології отримання нанокристалічних плівок кремнію на основі аморфного сплаву Si-Sn-C та методів контролю p-n-переходу і структури

Розроблено і реалізовано технологічну схему низькотемпературного синтезу нанокристалічних плівок кремнія. Розроблено метод термічного вакуумного напилення в потоці високоенергетичних електронів. Створена теоретична модель структури тонкоплівкового фотоелектричного перетворювача на основі нанокристалічного кремнію (nc-Si). Модель враховує тривимірний розподіл потенційних бар'єрів.