Листопад 2012

Electronic processes in the breakdown electric fields in the polytypes of silicon carbide

Conditions for creation of light emitting diodes working in electrical breakdown regime have been determined. The floatable technology have been used. Light emitting diodes obtained is possible to use as standards of power and spectral composition of radiation, and although for creation of sources of short light impulses. Constructions of these devices, laboratorial technology of their fabrication, elements of metrological support have been worked out.
Emitters on SiC-basis operating in the electrical breakdown regime have the following superior characteristics:

Электронные процессы в пробойных электрических полях в политипах карбида кремния

В работе определены технологические, эксплуатационные и конструкционные условия, при которых на основе сплавной технологии изготовления p-n-переходов, на промышленных кристаллах карбида кремния можно получить светодиоды, работающие в режиме электрического пробоя, которые возможно использовать в качестве эталонов мощности и спектрального состава излучения на спектральный диапазон 250 – 700 нм, а также в качестве импульсных излучателей с субнаносекундным быстродействием. Разработаны конструкции этих приборов, лабораторная технология их изготовления, элементы метрологического обеспечения.

Електронні процеси у пробійних електричних полях в політипах карбіду кремнію

В роботі з’ясовані технологічні, експлуатаційні та конструкційні умови, за яких на основі сплавної технології виготовлення p-n-переходів, на промислових кристалах карбіду кремнію можливо отримати світлодіоди, що працюють у режимі електричного пробою, які можливо використовувати у якості еталонів потужності та спектрального складу випромінювання на спектральний діапазон 250­-700 нм, а також у якості імпульсних випромінювачів з субнаносекундною швидкодією. Розроблено конструкції цих приладів, лабораторна технологія їх виготовлення, елементи метрологічного забезпечення.

Сторінки