Розробка засобів проєктування та технології виготовлення енергонезалежних сегнетоелектричних запам’ятовуючих пристроїв підвищеної швидкодії комп’ютерних систем критичного застосування.

Обґрунтовано застосування щілинних  високочастотних (ВЧ) катодних джерел з непрямим охолодження мішені для пошарового осадження компонентів на підкладку з їх переміщенням над поверхнею мішені. Допрацьовано конструкції джерел для осадження сегнетоелектричної плівки із оксидів цирконію-гафнію та цирконату- титанату свинцю, орієнтованих на застосування мішеней з розмірами 68х30х5мм із порошків оксидів гафнію, цирконію, титану, свинцю. Розроблено альтернативну технологію осадження сегнетоелектричної плівки з високим рівнем стехіометрії компонентів, яка базується на використанні створеного ВЧ катодного розпилення одно та багатокомпонентних  мішеней для осадження плівки на кремнієві підкладки діаметром 40 мм. Основою технології елементів, накопичувачів є застосування високопровідних стійких бар’єрних шарів оксидів з хрому, нікелю та кобальту між поверхнями плівки та електродами. Отримано якісну плівку оксиду цирконату-титанату свинцю Pb(Zr,Ti)O3 в 30 нм. Надто важливим в технології є застосування акустичної стимуляції. Розроблено методику вимірів характеристик імпульсного перемикання поляризації надтонкої сегнетоелектричної плівки, досліджено електричну поляризацію елементів на товстій (100 мкм) та тонкій (30-100 нм) плівці. Розроблено та доопрацьовано математичні моделі поляризації, що визначають залишкову поляризацію в конденсаторі від часу дії та амплітуди імпульсних сигналів перемикання, і на їх основі розроблено поведінкові моделі, які визначають зміну поляризації з часом при довільній формі сигналу на конденсаторі. Розроблено моделі елементів і накопичувачів системи автоматизованого проєктування пристроїв в середовищі PSPICE. Виконано схемотехнічне, технологічне та топологічне проєктування експериментальних зразків накопичувачів з руйнівним та неруйнівним зчитуванням, виготовлено та досліджено комплекти фотошаблонів та накопичувачі зі структурою 16х16 та 32х16 (чисел- х-розрядів).