Якименко Ю.І.

Локальна позиційна навігаційна система підвищеної надійності.

Визначено алгоритмічні і технологічні підходи з технологічно-конструктивної та алгоритмічно-програмної інтеграції/комплексування навігаційно - вимірювальних модулів та сенсорів. Проведено патентний та інформаційний пошук відомих технічних та технологічних рішень. Розроблено фізико-математичну модель вирішення навігаційної задачі при використанні встановленої структури локальної навігаційної позиційної системи. Розраховано оптимальні конструктивні параметри та експлуатаційні режими роботи платформи повітряного базування для локальної навігаційної системи.

Розробка 2-х координатного пристрою визначення кутових координат Сонця на наноструктурованих плівках кремнію для космічних апаратів

Розроблені конструкції щілинних 2-х координатних пристроїв визначення кутових координат Сонця на монокристалічному кремнії та на наноструктурованих плівках кремнію

Фізико-технічні основи конструктивно-технологічних рішень сонячних елементів на нанокристалічних кремнієвих плівках з використанням рідкісноземельних елементів та гетероструктурах А3В5

Комплексна оптимізація технології виготовлення радіаційно-стійких сонячних елементів на гетероструктурах А3В5, на монокристалічному кремнії та на нанокристалічних кремнієвих плівках, легованих рідкісноземельними елементами, сформованих методом синтезу кремнієвих нанокристалічних тонкоплівкових шарів. Розроблені і практично реалізовані технологічні операції виготовлення високоефективних радіаційно-стійких кремнієвих нанокристалічних тонкоплівкових та гетероструктурних А3В5 сонячних елементів.

Розроблення технології отримання та вивчення особливостей застосування пористого і нанопористого кремнію для створення високоефективних наноструктурних фотоелектричних перетворювачів

Розроблено і реалізовано технологію формування нанопористого кремнія. Розроблено базові принципи і критерії конструктивно-технологічних параметрів фотоелектричних перетворювачів комбінованого типу з інверсійним каналом (величина вбудованого позитивного заряду в діелектрику, щільності поверхневих станів на кордоні діелектрик–напівпровідник, глибини електронно-діркового переходу, рівня легування областей бази і еміттера).

Розроблення технології отримання нанокристалічних плівок кремнію на основі аморфного сплаву Si-Sn-C та методів контролю p-n-переходу і структури

Розроблено і реалізовано технологічну схему низькотемпературного синтезу нанокристалічних плівок кремнія. Розроблено метод термічного вакуумного напилення в потоці високоенергетичних електронів. Створена теоретична модель структури тонкоплівкового фотоелектричного перетворювача на основі нанокристалічного кремнію (nc-Si). Модель враховує тривимірний розподіл потенційних бар'єрів.

Розроблення технології отримання орієнтованих плівок нітриду алюмінія з п’єзоелектричними властивостями для організації функціональних МЕМС-структур у складі наноелектронних комірок.

Розроблено технологічний маршрут отримання низькотемпературного синтезу орієнтованих плівок нітриду алюмінія для створення функціональних електронних комірок. Проведені дослiдження структури та фізико-хімічних характеристик тонких плівок нітрида алюмінія (A1N) для створення функціональних МЕМС-структур. Уперше відпрацьовані технологічні режими синтезу орієнтованих плівок нітриду алюмінія методом магнетронного реактивного розпилення на по­стійному струмі з застосуванням аміака та суміші азота і аргона, що дозволило активізувати синтез нітридних сполук.