Наноелектроніка

Робота пов`язана з дослідженням наноматеріалів і наноструктур для створення надшвидкодійних і надвисокочастотних компонентів мікро- і наноелектроніки. Використання широкозонних матеріалів нітридної групи відкриває нові можливості щодо створення на їх основі напівпровідникових структур з низькорозмірними елементами, які поєднують можливості отримання як більш швидкодіючих, так і більш потужних електронних приладів у порівнянні з існуючими приладами на сполуках А3В5.

Основною метою даної роботи є дослідження і розробка науково-технічних умов і методів проектування чутливих елементів багатокомпонентних мікроперетворювачів на основі використання нових фізичних ефектів і нано-мікро-технологій. Дані мікроперетворювачі є альтернативними безплатформенним системам орієнтації і навігації, призначені для визначення лінійних і кутових параметрів руху рухомих об'єктів.

інформаційних та Наноелектронні пристрої обробки сигналів на основі кристалоподібних структур є новітньою елементною базою телекомунікаційних систем. Запропоновано резонансно-тунельні кристалоподібні структури та пристрої на їх основі з гранично високою спектральною вибірністю Розроблено високоефективні мікросмужкові пристрої обробки сигналів НВЧ діапазону. Для підвищення ефективності використано кристалоподібні структури в режимах резонансне тунелювання - звичайне тунелювання. Спільне використання цих ефектів забезпечує максимальну розв’язку сигналів в смугах пропускання і подавлення.

За допомогою комп’ютерного моделювання було оптимізовано геометрію, розраховано залежність електронних властивостей діамондоїдів від їх розміру; наявності як одного, так і двох різних замісників в молекулі (зовнішнє допування); від заміни атомів вуглецю в певних положеннях діамондоїду (внутрішнє допування) одним та двома гетероатомами.