Тимофєєв В.І.

Предметом дослідження є електричні й оптоелектронні характеристики потрійних
сполук AIIIBV та структур на їх основі. Особлива увага приділяється дослідженню динамічних характеристик потрійних сполук у сильних полях, ефекти розігрівання електронного газу та інші ефекти, що властиві таким матеріалам при досягненні нанорозмірів, а також явища на границях низькорозмірних структур з пасивними областями та контактами.
Створено фундаментальні фізико-математичні засади для моделювання

Робота пов`язана з дослідженням наноматеріалів і наноструктур для створення надшвидкодійних і надвисокочастотних компонентів мікро- і наноелектроніки. Використання широкозонних матеріалів нітридної групи відкриває нові можливості щодо створення на їх основі напівпровідникових структур з низькорозмірними елементами, які поєднують можливості отримання як більш швидкодіючих, так і більш потужних електронних приладів у порівнянні з існуючими приладами на сполуках А3В5.

Використовуючи аналітичні вирази для часів релаксації імпульсу і енергії при різних механізмах розсіяння, зроблені оцінки динамічних властивостей тринітридних сполук (InN, GaN, AlN) у сильних електричних полях. Розраховані поле-температурні залежності, функції заселеності долин і поле- швидкісні характеристики в сильному полі для нітридів з різними модифікаціями кристалічної решітки (кубічної та гексагональної).

Проведено дослідження наноматеріалів і прогнозування можливостей тринітридів щодо їх використання для створення надшвидкодіючих і надвисокочастотних компонентів мікро- і наноелектроніки. Виконананий аналіз динамічних та високочастотних властивостей тринітридів показав можливість їх використання для створення приладів на частоти до сотень гігагерц та формування пікосекундних імпульсів.