Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур
Використовуючи аналітичні вирази для часів релаксації імпульсу і енергії при різних механізмах розсіяння, зроблені оцінки динамічних властивостей тринітридних сполук (InN, GaN, AlN) у сильних електричних полях. Розраховані поле-температурні залежності, функції заселеності долин і поле- швидкісні характеристики в сильному полі для нітридів з різними модифікаціями кристалічної решітки (кубічної та гексагональної).